淀积低介电材料(Low－k)过程中减少产生颗粒的方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种减少采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法淀积低介电材料(Low－k)时产生颗粒的方法。在采用PECVD淀积Low－k材料时，淀积时产生的颗粒会大大影响到良率。本发明采用在淀积刚完毕之后，反应气体流量置零，气压参数、惰性气体流量参数、间距参数、温度参数条件与淀积时保持不变，维持等离子体3至5秒就可解决。