首页> 外文会议>IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures >Determination Of The HF Model Parameters Of The MOS Transistor By Using Standard Dropin Test Structures
【24h】

Determination Of The HF Model Parameters Of The MOS Transistor By Using Standard Dropin Test Structures

机译:使用标准滴素测试结构确定MOS晶体管的HF模型参数

获取原文

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号