机译:势垒层中的应变对高应变In_(0.77)Ga_(0.23)As / InGaAs多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:气源分子束外延生长0.98 um InGaAs / InGaAsP应变补偿多量子阱结构的结构和光学性质
机译:衬底取向错误对(111)B GaAs分子束外延生长InGaAs / GaAs单应变量子阱的光学和结构性质的影响
机译:In0.2Ga0.8As-GaAs应变量子阱的结构和光学性质
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:SmNiO3应变薄膜的金属-绝缘体转变:结构电和光学性质
机译:润湿层对应变圆顶形Inas / Gaas量子点中子带p-to-s跃迁电子和光学性质的影响
机译:晶格匹配和应变量子阱与量子线结构的光电特性比较