机译:使用HgTe / CdTe超晶格界面层改善CdZnTe(211)B衬底上HgCdTe的分子束外延生长
机译:使用电子回旋共振等离子体制备HgCdTe分子束外延的CdZnTe(211)B衬底
机译:Aselsan,Inc。的Cdznte衬底表面制备技术用于高质量HGCDTE脱落剂的分子束外延生长
机译:(211)B CdZnTe衬底上分子束外延生长HgCdTe的现状
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:通过分子束外延在Si(111)衬底上生长GaN纳米壁网络
机译:利用分子束外延生长在Insb衬底上的晶格匹配CdZnTe合金的少数载流子寿命
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。