机译:具有四分之一微米Au / WSi栅极AlGaAs / InGaAs HJFET的毫米波MMIC
机译:新的MBE缓冲器用于消除GaAs MESFET中的背栅
机译:亚微米栅MBE生长的InAlAs / InGaAs / InAlAs异质结MESFET中的扭结效应
机译:适用于微米级和四分之一微米栅极GaAs MESFET的新型MBE缓冲器
机译:砷化镓MESFET(MBE)的表面和界面物理。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:通过金属有机气相外延生长的al0.3Ga0.7as缓冲层改善亚微米栅极Gaas mEsFET的性能
机译:新型mBE(分子束外延)缓冲器用于消除Gaas mEsFET中的背栅