1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。