High-k dielectric; Early effect; MOSFET; PDA; Gate-last; Model;
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:具有HfO2 / Hf-Cap / GeOx栅叠层和合适的后金属退火处理的高性能Ge pMOSFET
机译:我们可以通过沉积后处理来优化DRAM输入/输出pMOSFET的栅极氧化物质量吗?
机译:沉积后退火处理后28nm HK / Mg PMOSFET的早期效果
机译:生长后退火的ZnSnN 2薄膜的沉积和表征。
机译:具有ZrO2介质的高迁移率Ge pMOSFET:后退火的影响
机译:DPN处理加28nm HK / mg NMOSFET的退火温度,CHC应力