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【24h】

Atomic Force Microscopy and EDX Analysis for Investigation of Photoconductive LT-GaAs Terahertz Antennas

机译:原子力显微镜和EDX分析,用于对光电导电器LT-GAAS Terahertz天线的研究

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摘要

We investigated the influence of the surface properties of a low-temperature-grown GaAs photoconductive antenna on terahertz (THz) response power. A comparison to the surface roughness determined by an atomic force microscope is given. We used energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) measurements to determine the Ga/As compositional ratio in the LT-GaAs.
机译:我们研究了低温生长的GaAs光电导天线对太赫兹(THz)响应功率的影响。给出了由原子力显微镜确定的表面粗糙度的比较。我们使用能量分散X射线光谱(EDX)测量来确定LT-GaAs中的Ga /作为组成比。

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