InGaAs MOSFETs; source-drain regrowth; digital etching style; substitutional-gate; surface channel;
机译:植入物自由复合通道的高性能和可靠性分析(0.53)GA_(0.47)AS / INAS / IN_(0.53)GA_(0.47)作为Δ掺杂MOSFET
机译:具有复合$(hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {0.47} hbox {As} / hbox {InAs} / hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {{0.47} hbox {As})$通道和自对准MBE源漏恢复
机译:表面沟道Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As MOSFET中电子迁移率的研究
机译:高跨导表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为MOSFET使用MBE源排水再生和表面数字蚀刻
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:范德华外延生长的(Bi0.53Sb0.47)2Te3薄膜的两个表面态的证据
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:Ga0.47In0.53as合金的表面和界面性质