机译:有机硅微波等离子体化学气相沉积(PECVD)涂层中等离子体后反应的固态核磁共振研究。
机译:NH {sub} 3等离子体预处理对通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的TiN涂层的性能的影响
机译:硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中NH3对原子层沉积(ALD)Al2O3的等离子体氮化
机译:大面积等离子体增强化学气相沉积(PECVD)涂层的最新进展
机译:开发用于TFT应用的等离子增强化学气相沉积(PECVD)栅极电介质。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日