机译:厚度对基于CeO2薄膜的非易失性电阻存储器件双极开关机制的影响
机译:溅射沉积Cr掺杂的SrZrO {sub} 3存储膜的双稳态电阻开关
机译:基于NiO薄膜的柔性非易失性存储器件的电阻切换特性
机译:设置功率依赖性关于CR掺杂Srzro {Sub} 3薄膜的电阻切换,用于非易失性存储器件
机译:金属/ pr钙锰矿界面中的电场感应电阻切换:未来非易失性存储设备的模型。
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:ZnO薄膜在不锈钢上生长的电阻切换特性,柔性非易失性存储器件