机译:多孔阳极氧化铝电介质的高密度MIM电容器
机译:通过使用TiLaO介电层和Ir电极改善高密度MIM电容器中的高温泄漏
机译:超高密度(23 fF // spl mu / m / sup 2 /)RF MIM电容器,使用高/ spl kappa / TaTiO作为电介质
机译:具有HFO2电介质的高密度MIM电容器
机译:具有明显电气长度的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的模型级简化方法。
机译:单层MoS2和HfO2高介电常数MOS电容器中界面状态的影响和起源
机译:使用高κTaTiO作为电介质的超高密度(23 fF /μm2)RF MIM电容器