一种高密度多层堆叠MIM电容器及像素电路与成像装置

摘要

本发明涉及一种高密度多层堆叠MIM电容器及像素电路与成像装置。该高密度多层堆叠MIM电容器包括：至少两层下电极板层；至少一层上电极板层，每层上电极板层位于相邻两层下电极板层之间；至少两层介质层，每层介质层位于相邻的下电极板层和上电极板层之间；至少一个下极板金属通孔，每个下极板金属通孔至少连接一层下电极板层；至少一个上极板金属通孔，每个上极板金属通孔至少连接一层上电极板层；至少一层下电极板层包括下极板互连金属层结构，下极板互连金属层包括两层金属氮化物层及其间内夹的金属板层，金属板层设置有多个沟槽，金属板层上表面的金属氮化物层具有与沟槽相应的沟槽形貌。该MIM电容器能够成倍提高单位面积的电容值。