首页> 外文会议>International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors >Non-Destructive Characterization of Metal-Semiconductor Interface by Raman Scattering
【24h】

Non-Destructive Characterization of Metal-Semiconductor Interface by Raman Scattering

机译:拉曼散射的金属半导体界面的非破坏性表征

获取原文

摘要

Raman scattering is a very powerful tool for micro- and nano-metric scale characterization of precise device manufacturing process in nondestructive and noncontact way. As an example, this paper describes interface interactions between metallic electrodes and Si characterized by Raman scattering
机译:拉曼散射是一种非常强大的工具,用于非破坏性和非接触方式的精确器件制造过程的微型和纳米度量标准表征。例如,本文描述了金属电极和Si之间的界面相互作用,其特征是拉曼散射的特征

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号