Ge-Si alloys; X-ray diffraction; electron diffraction; interface structure; semiconductor heterojunctions; silicon; CBED; HOLZ reflection; HRXRD; SiGe-Si; SiGe/Si heterostructures; convergent beam electron diffraction; graded layer; high resolution x-ray diffraction;
机译:纳米级应变测量:会聚束电子衍射,纳米束电子衍射,高分辨率成像和暗场电子全息术的比较
机译:会聚束电子和高分辨率X射线衍射表征III /Ⅴ超薄异质结构
机译:通过共面高分辨率X射线衍射和掠射入射衍射确定的Si / SiGe量子线周期阵列中的应变弛豫
机译:通过高分辨率x射线衍射和会聚束电子衍射评估SiGe / Si异质结构中的应变状态
机译:使用X射线衍射和会聚光束电子衍射测量应变硅的晶格应变和弛豫效应
机译:高分辨率电子显微镜电子能损光谱X射线粉衍射和电子对分布函数的非晶二氧化硅纳米结构的微观结构研究
机译:使用会聚光束电子衍射测定应变-SiGe膜自由表面的应变弛豫
机译:用收敛束电子衍射研究III-V超晶格和异质结构