Implantation; Aluminium; surface defects;
机译:30 keV He和120 keV O离子注入引起4H-SiC表面起泡和凹陷
机译:表面蚀刻条件对4H-SIC外延堆叠故障的影响
机译:4H-SiC外延层中氧化引起的断层的光致发光研究
机译:铝植入诱导4H-SIC的线性表面故障
机译:关于故障引起的转子动力分叉和非线性响应的特性。
机译:掺:钇铝和石榴石激光辐照对喷砂大砂酸蚀植入物的表面微观结构和粗糙度的影响
机译:4H-siC外延层氧化诱导断层的光致发光研究
机译:辐射诱导淬火铝堆垛层错