high voltage pin diodes; minority carrier lifetime; forward voltage drop; stability;
机译:低穿线位错密度衬底上制备的4H-SiC JBS二极管的反向电特性
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。二。动态击穿特性
机译:研究大块和基本螺钉错位有助于低压(> 250 V)4H-SiC p / sup +/- n结二极管的反向击穿。一,直流特性
机译:使用低基板脱位工艺制造的高压4H-SiC引脚二极管的电学特性
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:高压4H-SiC引脚二极管的先进电气表征
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性