chemical vapor deposition; 4H silicon carbide; point defects; electron paramagnetic resonance;
机译:卤化物化学气相沉积法生长4H SiC的空位和空位对缺陷的研究
机译:物理气相传输和卤化物化学气相沉积法生长4H-SiC中V_cC_(Si)〜-对缺陷的光诱导行为
机译:卤化物化学气相沉积法生长的6H-SiC块状晶体中的残留杂质和天然缺陷
机译:卤化物化学气相沉积4H SiC中的点缺陷
机译:化学气相沉积在镍(111)上生长的石墨烯中的缺陷结构。
机译:SiC化学气相沉积生长外延石墨烯晶界应变松弛的拉曼研究
机译:4H-SiC衬底取向不良对金属有机化学气相沉积法生长的GaN中开口体积缺陷的影响