机译:使用Ald门叠层对90 Nm节点Mosfet进行H硅酸盐介电材料的电学表征和载流子传输
机译:ALD HfO_2电介质上具有TaSiN / TiN栅极的亚微米MOSFET的低频噪声特性得到改善
机译:金属栅极沉积方法对Hf-硅酸盐栅极优先MOSFET的特性的影响
机译:硅酸f上ALD和MOCVD TiN金属栅极的MOSFET特性比较
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:ALD锡覆盖层对N-FINFET与ALD HFO2 / TIN覆盖/ Tial栅极堆叠的PBTI特性的影响