掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration
Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
INFUSION PROCESSING: AN ALTERNATIVE TO PLASMA TECHNOLOGY FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING
机译:
输液处理:半导体器件制造的等离子体技术的替代方案
作者:
John Hautala
;
Wes Skinner
;
Steve Sherman
;
Yan Shao
;
John Borland
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
2.
Low-Power and High-Speed Hf-based gated CMOS FET with Dual Poly-Si Gate Electrodes
机译:
具有双多Si栅电极的低功耗和高速HF的门控CMOS FET
作者:
Toshiyuki Iwamoto
;
Takashi Ogura
;
Masayuki Terai
;
Ayxika Morioka
;
Motofumi Saitoh
;
Naohiko Kimizuka
;
Yuri Yasuda
;
Kiyoshi Imai
;
Shinji Fujieda
;
Hirohito Watanabe
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
3.
FILM COMPOSITION AND ITS PROFILE CONTROL OF HfSiON FOR POLY-Si GATE CMOSFET WITH HIGH PERFORMANCE AND RELIABILITY
机译:
具有高性能和可靠性的多Si门CMOSFET的薄膜组成及其对HFSION的轮廓控制
作者:
Yoshitaka Tsunashima
;
Katsuyuki Sekine
;
Takashi Watanabe
;
Seiji Inumiya
;
Mariko Takayanagi
;
Akio Kaneko
;
Motoyuki Sato
;
Kenji Kojima
;
Kazunari Ishimaru
;
Kazuhiro Eguchi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
4.
STATE OF THE ART IN TRANSISTORS
机译:
晶体管中的最先进
作者:
Mark Bohr
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
5.
Strain Engineering for Silicon CMOS Technology
机译:
硅CMOS技术的应变工程
作者:
D. K. Sadana
;
S. W. Bedell
;
A. Reznicek
;
J. P. de Souza
;
K. E. Fogel
;
H. J. Hovel
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
6.
CMP Technology for 32-45nm Node Cu/Low-k Integration
机译:
CMP技术32-45NM节点CU / LOW-K集成
作者:
S. Kondo
;
B. U. Yoon
;
S. Tokitoh
;
A. Namiki
;
K. Misawa
;
K. Inukai
;
S. Sone
;
H. T. Shin
;
Y. Matsubara
;
N. Ohashi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
7.
VALIDITY OF GENERATED SUBORDINATE CARRIER INJECTION MODEL IN AL-PROFILED HFALON DIELECTRICS
机译:
AL-inciled Hfalon电介质中生成的下级载体注射模型的有效性
作者:
Hideki Satake
;
Hiroyuki Ota
;
Kenji Okada
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
8.
SPP photonic probe of damascene line quality
机译:
镶嵌线质量的SPP光子探头
作者:
Gary D. Knight
;
Tom J. Smy
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
9.
SURFACE PREPARATION and CLEANING CHALLENGES FOR sub-65nm PROCESS INTEGRATION
机译:
Sub-65nm工艺集成的表面制备和清洁挑战
作者:
J. J. Rosato
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
10.
INTEGRATION OF HIMOS#8482; FLASH MEMORY IN A 90NM CMOS TECHNOLOGY
机译:
在90nm CMOS技术中集成HIMOS™闪存
作者:
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Marc Demand
;
Augusto Redolfi
;
Christina Baerts
;
Stephan Beckx
;
Frank Vleugels
;
Jan Van Houdt
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
11.
N- AND P-TYPE LATERAL DMOSFETS INTEGRATION AND OPTIMIZATION IN AN ADVANCE RF BICMOS TECHNOLOGY
机译:
在先进的RF BICMOS技术中的N-和P型横向DMOSFET集成和优化
作者:
B. Szelag
;
D. Muller
;
J. Mourier
;
A. Giry
;
D. Pache
;
A. Monroy
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
12.
RETENTION CHARACTERISTICS OF MONOS NONVOLATILE MEMORIES
机译:
Monos Nonvolatile Memories的保留特性
作者:
Hiroshi Aozasa
;
Ichiro Fujiwara
;
Kenji Yamauchi
;
Kazuhide Koyama
;
Toshio Kobayashi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
13.
RELIABILITY OF DAMASCENE COPPER INTERCONNECTS
机译:
镶嵌铜互连的可靠性
作者:
Kazuyoshi Ueno
;
Takashi Ishigami
;
Yumi Kakuhara
;
Masaya Kawano
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
14.
INTEGRATION OF HIMOS~(TM) FLASH MEMORY IN A 90NM CMOS TECHNOLOGY
机译:
HIMOS〜(TM)闪存的整合在90nm CMOS技术中
作者:
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Marc Demand
;
Augusto Redolfi
;
Christina Baerts
;
Stephan Beckx
;
Frank Vleugels
;
Jan Van Houdt
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
15.
APPLICATIONS FOCUSED TRENDS IN SIGE BICMOS TECHNOLOGIES
机译:
应用于SiGe BICMOS技术的趋势
作者:
S. St Onge
;
A. Joseph
;
L. Lanzerotti
;
N. Feilchenfeld
;
D. Coolbaugh
;
B. Orner
;
J. Dunn
;
D. Harame
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
16.
Perspectives for ultra high density nonvolatile data storage
机译:
超高密度非易失性数据存储的透视图
作者:
M. Specht
;
U. Dorda
;
F. Hofmann
;
L. Dreeskornfeld
;
J. Kretz
;
M. Stadele
;
J. Willer
;
W. Rosner
;
L. Risch
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
17.
INTEGRATION OF HIMOS FLASH MEMORY IN A 90NM CMOS TECHNOLOGY
机译:
在90nm CMOS技术中整合HIMOS闪存
作者:
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Marc Demand
;
Augusto Redolfi
;
Christina Baerts
;
Stephan Beckx
;
Frank Vleugels
;
Jan Van Houdt
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
18.
ATOMICALLY CONTROLLED CVD TECHNOLOGY FOR FUTURE Si-BASED DEVICES
机译:
用于将来基于SI的设备的原子控制CVD技术
作者:
Junichi Murota
;
Masao Sakuraba
;
Bernd Tillack
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
19.
HIGH-K DIELECTICS INTEGRATION PROSPECTS
机译:
高k型二元集成前景
作者:
S. Kubicek
;
S. Van Elshocht
;
A. Delabie
;
K. Yamamoto
;
S. Beckx
;
M. Claes
;
N. Van Hoornick
;
D-H Kwak
;
S. Hyun
;
A. Rothschild
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
20.
A REVIEW OF Si EPITAXY: 40 YEARS OF PROGRESS WITH AN EXTRAORDINARY FUTURE
机译:
审查SI外延:40年的进步,具有非凡的未来
作者:
D. J. Meyer
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
21.
CMOS SCALING AND NANOELECTRONICS NEW MATERIALS AND PROCESSES
机译:
CMOS缩放和纳米电子产品新材料和工艺
作者:
Yoshio Nishi
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
22.
EXPLORING STRESS ENGINEERING APPROACHES FOR THE 45 nm TECHNOLOGY NODE
机译:
探索45纳米技术节点的应力工程方法
作者:
Victor Moroz
;
Xiaopeng Xu
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
23.
CHALLENGES FOR INTERCONNECT OF FUTURE CMOS GENERATIONS : IMPLEMENTATION OF EMERGING PROCESSES AND ALTERNATIVE ARCHITECTURES
机译:
未来CMOS几代互连的挑战:实施新兴进程和替代架构
作者:
V. Arnal
;
L.G. Gosset
;
W.F.A Besling
;
A. Farcy
;
L.L. Chapelon
;
A Fuchsmann
;
J. Vitiello
;
S. Chhun
;
M. Aimadeddine
;
C. Guedj
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
24.
Integration of High Aspect Ratio Structures
机译:
集成高纵横比结构
作者:
Gurtej S. Sandhu
;
Fernando Gonzalez
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
25.
N- AND P- TYPE LATERAL DMOSFETS INTEGRATION AND OPTIMIZATION IN AN ADVANCE RF BICMOS TECHNOLOGY
机译:
先进的RF BICMOS技术中的N-和P型横向DMOSFET集成和优化
作者:
B. Szelag
;
D. Muller
;
J. Mourier
;
A. Giry
;
D. Pache
;
A. Monroy
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
26.
PLANAR BONDED DOUBLE GATE MOS TRANSISTORS DOWN TO LG= 10NM
机译:
平面粘合双栅极MOS晶体管下降至LG = 10nm
作者:
M Vinet
;
J Widiez
;
J Lolivier
;
T Poiroux
;
B Biasse
;
B Previtali
;
J Dechamp
;
S Deleconibus
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
27.
Logic based DRAM technology evolution through ultimate integration
机译:
基于逻辑的DRAM技术演变通过终极集成
作者:
Pascale Mazoyer
;
Christian Caillat
;
Michel Bouche
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
28.
PHYSICAL ORIGINS OF MOBILITY REDUCTION IN HIGH-K GATE TRANSISTORS
机译:
高k门晶体管的移动性降低物理起源
作者:
Shin-ichi Saito
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
29.
TECHNOLOGY AND APPLICATIONS OF SILICON-ON-NOTHING
机译:
无硅的技术和应用
作者:
I. Mizushima
;
T. Sato
;
Y. Tsunashima
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
30.
ULTRA-LOW THERMAL BUDGET CMOS PROCESS FOR 65NM-NODE LOW-OPERATION-POWER APPLICATIONS
机译:
超低热预算CMOS工艺65nm节点低操作功率应用
作者:
F. Ootsuka
;
A. Mineji
;
K. Yamashita
;
M. Yasuhka
;
T. Arikado
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
31.
INTEGRATION OF HIMOS~(TM) IN A 90NM CMOS TECHNOLOGY
机译:
在90nm CMOS技术中融合HIMOS〜(TM)
作者:
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Marc Demand
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
32.
Process Integration on Glass Substrate by CW Laser Lateral Crystallization (CLC)
机译:
CW激光横向结晶(CLC)对玻璃基板的过程集成
作者:
Nobuo Sasaki
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
33.
HIGH DENSITY REMOTE PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF RUTHENIUM THIN FILMS
机译:
高密度远程等离子体增强钌薄膜的原子层沉积
作者:
Myoung-Gyun Ko
;
Eun-Joo Lee
;
Jong-Wan Park
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
34.
LIMITATIONS OF CMOS SCALING: WHAT'S NEXT?
机译:
CMOS缩放的局限性:下一个是什么?
作者:
Jim Dunn
;
Alvin Joseph
;
David Harame
;
Edward J.Nowak
;
Bernard S. Meyerson
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
35.
NOVEL INTEGRATION CONCEPTS FOR SIGE-BASED RF-MOSFETS
机译:
基于SiGe的RF-MOSFET的新型集成概念
作者:
Mikael Ostling
;
B. G. Malm
;
P-E. Hellstrom
;
H. H. Radamson
;
C. Isheden
;
J. Seger
;
M. von Haartman
;
S.-L. Zhang
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
36.
P+/N JUNCTION FORMATION IN THIN STRAIN RELAXED BUFFER STRAINED SILICON SUBSTRATES: THE EFFECT OF THE JUNCTION ANNEAL
机译:
P + / N结在薄菌株弛豫缓冲硅基板中的粘附性硅基板:结射回退火的效果
作者:
G. Eneman
;
E. Simoen
;
R. Delhougne
;
P. Verheyen
;
V. Simons
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
K. De Meyer
;
W. Vandervorst
;
C. Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
37.
Comparison of MOSFET characteristics between ALD and MOCVD TiN metal gate on Hf silicate
机译:
HF硅酸盐上ALD和MOCVD锡金属栅极MOSFET特性的比较
作者:
S. C. Song
;
B. H. Lee
;
Z. Zhang
;
K. Choi
;
S. H Bae
;
H. Alshareef
;
P. Majhi
;
H. C. Wen
;
J. Bennett
;
B. Sassman
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
38.
THE LOW-FREQUENCY NOISE IN n-MOSFETs ON STRAINED SILICON: IS THERE ROOM FOR IMPROVEMENT?
机译:
紧张硅的N-MOSFET中的低频噪声:有改进的空间吗?
作者:
E. Simoen
;
G. Eneman
;
P. Verheyen
;
R. Delhougne
;
R. Rooyackers
;
R. Loo
;
W. Vandervorst
;
K. De Meyer
;
C. Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society Meeting and Symposium on ULSI Process Integration》
|
2005年
意见反馈
回到顶部
回到首页