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机译:使用Ald门叠层对90 Nm节点Mosfet进行H硅酸盐介电材料的电学表征和载流子传输
Institute of Mechatronic Engineering, National Taipei University of Technology, 1, Sec. 3, Chung-Hsiao E. Road, Taipei 106, Taiwan;
hfsion; high-k; interface traps; carrier transportation;
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:Al2O3掺入对ALD衍生HfO2 / Si栅堆叠的电学性能和载流子迁移机制的影响
机译:以ALD Al
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:基于氮化物界面层的具有高k栅极电介质叠层的锗mOsFET的设计,制造和表征