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Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)
Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)
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1.
THE LOW-FREQUENCY NOISE IN N-MOSFETS ON STRAINED SILICON: IS THERE ROOM FOR IMPROVEMENT?
机译:
应变硅上N-MOSFET的低频噪声:是否有改进空间?
作者:
E. Simoen
;
G. Eneman
;
P. Verheyen
;
R. Delhougne
;
R. Rooyackers
;
R. Loo
;
W. Vandervorst
;
K. De Meyer
;
C. Claeys
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
2.
SPP photonic probe of damascene line quality
机译:
镶嵌线质量的SPP光子探针
作者:
Gary D. Knight
;
Tom J. Smy
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
3.
Strain Engineering for Silicon CMOS Technology
机译:
硅CMOS技术的应变工程
作者:
D. K. Sadana
;
S. W. Bedell
;
A. Reznicek
;
J. P. de Souza
;
K. E. Fogel
;
H. J. Hovel
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
4.
RETENTION CHARACTERISTICS OF MONOS NONVOLATILE MEMORIES
机译:
单声道非易失性存储器的保留特性
作者:
Hiroshi Aozasa
;
Ichiro Fujiwara
;
Kenji Yamauchi
;
Kazuhide Koyama
;
Toshio Kobayashi
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
5.
RELIABILITY OF DAMASCENE COPPER INTERCONNECTS
机译:
大马士革铜互连的可靠性
作者:
Kazuyoshi Ueno
;
Takashi Ishigami
;
Yumi Kakuhara
;
Masaya Kawano
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
6.
N- AND P- TYPE LATERAL DMOSFETS INTEGRATION AND OPTIMIZATION IN AN ADVANCE RF BICMOS TECHNOLOGY
机译:
先进的RF BICMOS技术中的N型和P型横向DMOSFET集成和优化
作者:
B. Szelag
;
D. Muller
;
J. Mourier
;
A. Giry
;
D. Pache
;
A. Monroy
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
7.
Logic based DRAM technology evolution through ultimate integration
机译:
通过最终集成实现基于逻辑的DRAM技术发展
作者:
Pascale Mazoyer
;
Christian Caillat
;
Michel Bouche
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
8.
Low-Power and High-Speed Hf-based gated CMOS FET with Dual Poly-Si Gate Electrodes
机译:
具有双多晶硅栅电极的低功率和高速基于Hf的门控CMOS FET
作者:
Toshiyuki Iwamoto
;
Takashi Ogura
;
Masayuki Terai
;
Ayuka Morioka
;
Motofumi Saitoh
;
Naohiko Kimizuka
;
Yuri Yasuda
;
Kiyoshi Imai
;
Shinji Fujieda
;
Hirohito Watanabe
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
9.
LIMITATIONS OF CMOS SCALING: WHAT'S NEXT?
机译:
CMOS标度的局限性:接下来是什么?
作者:
Jim Dunn
;
Alvin Joseph
;
David Harame
;
Edward J.Nowak
;
Bernard S. Meyerson
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
10.
INFUSION PROCESSING: AN ALTERNATIVE TO PLASMA TECHNOLOGY FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING
机译:
入侵处理:半导体设备制造的等离子技术的替代
作者:
John Hautala
;
Wes Skinner
;
Steve Sherman
;
Yan Shao
;
John Borland
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
11.
ATOMICALLY CONTROLLED CVD TECHNOLOGY FOR FUTURE SI-BASED DEVICES
机译:
未来基于SI的设备的原子控制CVD技术
作者:
Junichi Murota
;
Masao Sakuraba
;
Bernd Tillack
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
12.
A REVIEW OF SI EPITAXY: 40 YEARS OF PROGRESS WITH AN EXTRAORDINARY FUTURE
机译:
SI表扬的回顾:40年的进步与未来
作者:
D. J. Meyer
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
13.
ULTRA-LOW THERMAL BUDGET CMOS PROCESS FOR 65NM-NODE LOW-OPERATION-POWER APPLICATIONS
机译:
适用于65NM节点低功耗功率应用的超低热量预算CMOS工艺
作者:
F. Ootsuka
;
A. Mineji
;
K. Yamashita
;
M. Yasuhira
;
T. Arikado
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
14.
VALIDITY OF GENERATED SUBORDINATE CARRIER INJECTION MODEL IN AL-PROFILED HFALON DIELECTRICS
机译:
铝型哈法隆电介质中合成次生子载体注入模型的有效性
作者:
Hideki Satake
;
Hiroyuki Ota
;
Kenji Okada
;
Toshihide Nabatame
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
15.
TECHNOLOGY AND APPLICATIONS OF SILICON-ON-NOTHING
机译:
空硅技术与应用
作者:
I. Mizushima
;
T. Sato
;
Y. Tsunashima
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
16.
SURFACE PREPARATION AND CLEANING CHALLENGES FOR SUB-65NM PROCESS INTEGRATION
机译:
Sub-65NM工艺集成的表面制备和清洁挑战
作者:
J. J. Rosato
会议名称:
《》
|
2005年
17.
STATE OF THE ART IN TRANSISTORS
机译:
晶体管的最新技术
作者:
Mark Bohr
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
18.
PLANAR BONDED DOUBLE GATE MOS TRANSISTORS DOWN TO LG = 10NM
机译:
平面键合双栅极MOS晶体管降至LG = 10NM
作者:
M Vinet
;
J Widiez
;
J Lolivier
;
T Poiroux
;
B Biasse
;
B Previtali
;
J Dechamp
;
S Deleonibus
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
19.
Process Integration on Glass Substrate by CW Laser Lateral Crystallization (CLC)
机译:
通过连续激光横向结晶(CLC)在玻璃基板上进行工艺集成
作者:
Nobuo Sasaki
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
20.
P+/N JUNCTION FORMATION IN THIN STRAIN RELAXED BUFFER STRAINED SILICON SUBSTRATES: THE EFFECT OF THE JUNCTION ANNEAL
机译:
薄应变缓释缓冲应变硅衬底中的P + / N结形成:结阳极的作用
作者:
G. Eneman
;
E. Simoen
;
R. Delhougne
;
P. Verheyen
;
V. Simons
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
K. De Meyer
;
W. Vandervorst
;
C. Claeys
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
21.
Perspectives for ultra high density nonvolatile data storage
机译:
超高密度非易失性数据存储的前景
作者:
M.Specht
;
U.Dorda
;
F.Hofmann
;
L.Dreeskornfeld
;
J.Kretz
;
M.Staedele
;
J.Willer
;
W.Roesner
;
L.Risch
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
22.
PHYSICAL ORIGINS OF MOBILITY REDUCTION IN HIGH-K GATE TRANSISTORS
机译:
高K栅晶体管中迁移率降低的物理起源
作者:
Shin-ichi Saito
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
23.
NOVEL INTEGRATION CONCEPTS FOR SIGE-BASED RF-MOSFETS
机译:
基于SIGE的RF-MOSFET的新型集成概念
作者:
Mikael Oestling
;
B. G. Malm
;
P-E. Hellstroem
;
H. H. Radamson
;
C. Isheden
;
J. Seger
;
M. von Haartman
;
S.-L. Zhang
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
24.
INTEGRATION OF HIMOS™ FLASH MEMORY IN A 90NM CMOS TECHNOLOGY
机译:
将HIMOS™闪存集成到90NM CMOS技术中
作者:
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Marc Demand
;
Augusto Redolfi
;
Christina Baerts
;
Stephan Beckx
;
Frank Vleugels
;
Jan Van Houdt
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
25.
Integration of High Aspect Ratio Structures
机译:
高长宽比结构的集成
作者:
Gurtej S. Sandhu
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
26.
HIGH DENSITY REMOTE PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF RUTHENIUM THIN FILMS
机译:
钌薄膜的高密度远程等离子体增强原子层沉积
作者:
Myoung-Gyun Ko
;
Eun-Joo Lee
;
Jong-Wan Park
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
27.
HIGH-K DIELECTICS INTEGRATION PROSPECTS
机译:
高介电体集成前景
作者:
S. Kubicek
;
S. Van Elshocht
;
A.Delabie
;
K.Yamamoto
;
S.Beckx
;
M.Claes
;
N. Van Hoornick
;
D-H Kwak
;
S.Hyun
;
A.Rothschild
;
A. Veloso
;
K.Anil
;
G.Lujan
;
J.A.Kittl
;
A.Lauwers
;
V.Kaushik
;
M.Niwa
;
S. De Gendt
;
M.Heyns
;
M.Jurczak
;
S.Biesemans
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
28.
FILM COMPOSITION AND ITS PROFILE CONTROL OF HFSION FOR POLY-SI GATE CMOSFET WITH HIGH PERFORMANCE AND RELIABILITY
机译:
高性能,高可靠性的聚硅栅CMOSFET的氢氟酸膜组成及其轮廓控制
作者:
Yoshitaka Tsunashima
;
Katsuyuki Sekine
;
Takashi Watanabe
;
Seiji Inumiya
;
Mariko Takayanagi
;
Akio Kaneko
;
Motoyuki Sato
;
Kenji Kojima
;
Kazunari Ishimaru
;
Kazuhiro Eguchi
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
29.
EXPLORING STRESS ENGINEERING APPROACHES FOR THE 45 NM TECHNOLOGY NODE
机译:
45 NM技术节点的应力工程探索方法
作者:
Victor Moroz
;
Xiaopeng Xu
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
30.
Comparison of MOSFET characteristics between ALD and MOCVD TiN metal gate on Hf silicate
机译:
硅酸f上ALD和MOCVD TiN金属栅极的MOSFET特性比较
作者:
S. C. Song
;
B. H. Lee
;
Z. Zhang
;
K. Choi
;
S. H Bae
;
H. Alshareef
;
P. Majhi
;
H. C. Wen
;
J. Bennett
;
B. Sassman
;
P. Zeitzoff
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
31.
CHALLENGES FOR INTERCONNECT OF FUTURE CMOS GENERATIONS : IMPLEMENTATION OF EMERGING PROCESSES AND ALTERNATIVE ARCHITECTURES
机译:
未来CMOS一代互连的挑战:新兴过程和替代架构的实现
作者:
V. Arnal
;
L.G. Cosset
;
W.F.A Besling
;
A. Farcy
;
L.L. Chapelon
;
A Fuchsmann
;
J. Vitiello
;
S. Chhun
;
M. Aimadeddine
;
C. Guedj
;
J.F. Guillaumond
;
J. Torres
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
|
2005年
32.
CMP Technology for 32-45nm Node Cu/Low-k Integration
机译:
用于32-45nm节点Cu / Low-k集成的CMP技术
作者:
S. Kondo
;
B.U. Yoon
;
S. Tokitoh
;
A. Namiki
;
K. Misawa
;
K. Inukai
;
S. Sone
;
H.J. Shin
;
Y. Matsubara
;
N. Ohashi
;
N. Kobayashi
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
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2005年
33.
CMOS SCALING AND NANOELECTRONICS NEW MATERIALS AND PROCESSES
机译:
CMOS标度和纳米电子新材料和新工艺
作者:
Yoshio Nishi
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
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2005年
34.
APPLICATIONS FOCUSED TRENDS IN SIGE BICMOS TECHNOLOGIES
机译:
大型BICMOS技术中的应用趋势
作者:
S. St Onge
;
A. Joseph
;
L. Lanzerotti
;
N. Feilchenfeld
;
D. Coolbaugh
;
B. Orner
;
J. Dunn
;
D. Harame
会议名称:
《Proceedings vol.2005-06; Electrochemical Society(ECS) Meeting and 4th Symposium on ULSI Process Integration; 20050516-20; Quebec(CA)》
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2005年
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