process simulation; device simulation; TCAD; monte carlo; atomistic simulation;
机译:50 nm以下MOSFET中随机掺杂剂引起的阈值电压降低和波动:统计3D“原子”仿真研究
机译:三维MOSFET仿真,用于分析与原子过程仿真器相关的统计性掺杂引起的波动
机译:低于0.1 / spl mu / m MOSFET的随机掺杂剂引起的阈值电压降低和波动:3D“原子”仿真研究
机译:浅结制造工艺的实用原子掺杂剂扩散模拟和子100nm MOSFET的内在波动
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:Li2Ti6O13中的缺陷扩散和掺杂:原子模拟研究
机译:用于研究随机掺杂剂引起的阈值电压降低和decanano mOsFET波动的高效3D“原子”模拟技术
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究