首页> 中文会议>第二届全国纳米技术与应用学术会议 >亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.

著录项

来源
《第二届全国纳米技术与应用学术会议》|2002年|140-143|共4页
会议地点宁波
作者
夏志良; 刘晓彦; 刘恩峰; 韩汝琦;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
阈值电压; 三维模拟; 短沟效应; 场效应晶体管;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 亚100nm多栅MOSFET的三维模拟 [J] . 夏志良 ,刘晓彦 ,刘恩峰 . 半导体学报 . 2003,第B05期
2. 高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文) [J] . 钟兴华 ,周华杰 ,林钢 . 半导体学报：英文版 . 2006,第3期
3. 基于遗传算法的亚100nm SOI MOSFET模型参数提取 [J] . 李尊朝 ,张瑞智 ,张效娟 . 电子学报 . 2007,第011期
4. 亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 [J] . 贺永宁 ,李宗林 ,朱长纯 . 纳米科技 . 2006,第003期
5. 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型 [J] . 张大伟 ,章浩 ,朱广平 . 半导体学报：英文版 . 2005,第3期
6. 亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 [C] . 贺永宁 ,李宗林 ,朱长纯 . 2005（第四届）中国纳米科技西安研讨会 . 2005
7. 亚100nm SOIMOSFET器件新结构及其性能研究 [A] . 曹寒梅 . 2005

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号