具有子鳍掺杂剂扩散阻挡层的沟道结构

摘要

本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域中，并且特别地，描述了具有带有子鳍掺杂剂扩散阻挡层的沟道结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下鳍部分和上鳍部分的鳍。下鳍部分包括被掺杂成第一导电类型的第一半导体层上的掺杂剂扩散阻挡层。上鳍部分包括第二半导体层的一部分，第二半导体层处于掺杂剂扩散阻挡层上。隔离结构沿着下鳍部分的侧壁。栅极堆叠处于上鳍部分的顶部上方并且沿着上鳍部分的侧壁，栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构处于栅极堆叠的第一侧处。