Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors; optical properties of surfaces;
机译:基于立方半导体的量子阱中电子g因子的各向异性
机译:立方对称半导体中电子g因子的各向异性
机译:与极性光学声子相互作用的立方Ⅲ〜Ⅴ半导体自旋弛豫
机译:远红外线极性立方半导体的巨型反射态度各向异性
机译:极性半导体中红外子衍射光学谐振器和双曲超材料
机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:墨西哥帽拓扑半导体的巨大光子响应,用于中红外线到太赫兹应用
机译:极化半导体中自由载流子的红外吸收光谱。最终报告,1983年7月1日至1984年6月30日