Surface Conductivity; Silicon Nitride; Distributed Resistor-Capacitor Network; Suspended Gate FET (SGFET);
机译:PECVD形成用于CMOS技术的超薄氮化硅层
机译:原子层沉积氮化硅/ SiO_2叠层-用于先进CMOS技术的高电势栅极电介质
机译:三层整体氮化硅-纤维状氮化硅/氮化硼整料的力学性能
机译:CMOS氮化硅层的表面电导率
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:增强含有少量六边形氮化硼的硅胶复合材料的导热率
机译:三层单片氮化硅 - 纤维氮化硅/氮化硼整体材料的力学性能
机译:等离子沉积氮化硅钝化对CmOs集成电路辐射硬度的影响