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任苙萍;
CMOS工艺; 结构集成; MRAM; 标准; 磁性; 卡尔; 过氧化物; 电子能;
机译:飞思卡尔通过新的MRAM进入坚固耐用的应用程序
机译:飞思卡尔宣布45nm工艺概述MRAM产品计划在2008年提供1600万位晶体
机译:飞思卡尔到意法半导体,奥斯汀到米兰:飞思卡尔前高管保罗·格里姆(Paul Grimme)担任意法半导体汽车IC部门的一员
机译:用于低功率通信的飞思卡尔130nm中硅光子的混合集成硅光子电流集成1SMC 40nm-CMOS VLSI驱动器
机译:标准SOI CMOS工艺中的集成大型单片光电系统
机译:0.25μmCMOS工艺中的MEMS集成实验
机译:飞思卡尔微控制器集成到电子和计算机技术课程中
机译:飞思卡尔Qorivva 32位汽车级mCU的重离子测试。
机译:飞思卡尔机密专有比较器
机译:飞思卡尔半导体公司
机译:具有自旋扭矩传递磁性随机存取存储器(STT-MRAM)的集成电路的制造方法,该存储器包括沿STT-MRAM的磁性隧道结的侧壁形成的钝化层
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