机译:利用3D堆叠式LSI上的化学镀锡,在低温下以20μm间距实现Cu凸点互连
机译:利用3D堆叠式LSI上的化学镀锡,在20毫米间距的低温下实现低温铜凸点互连
机译:15μm节距的Cu / Au互连依靠自对准的低温热超声倒装芯片键合技术来实现高级芯片堆叠应用
机译:利用可靠的超薄底部填充技术实现3D堆叠LSI的20 / splμ/ m / m间距的超细倒装芯片互连
机译:硅通孔底部填充点胶,用于3D模具/中介层堆叠
机译:晶圆级底部填充对热循环测试过程中超薄芯片堆叠式3D-IC组件微凸点可靠性的影响
机译:MICRIN底部填充技术的缺陷技术缺少少于10.M.m在20mu.m球场上施加到倒装芯片粘合。
机译:用于倒装芯片连接互连技术的聚合物/金属浆料的材料开发。季度报告