机译:利用3D堆叠式LSI上的化学镀锡,在低温下以20μm间距实现Cu凸点互连
机译:利用3D堆叠式LSI上的化学镀锡,在20毫米间距的低温下实现低温铜凸点互连
机译:15μm节距的Cu / Au互连依靠自对准的低温热超声倒装芯片键合技术来实现高级芯片堆叠应用
机译:依靠倒装芯片键合技术的15μm间距凸点互连-适用于高级芯片堆叠应用
机译:在3D堆叠LSI上使用化学镀锡帽以20 / spl mu / m的间距连接铜凸点
机译:Cu-氧化物体积的快速氧离子迁移及其在较低温度下的有效CO2转化的利用率
机译:树脂芯凸块技术,用于高度可靠的20.M.M玻璃互连上的音高芯片