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【24h】

Cu bump interconnections in 20/spl mu/m pitch utilizing electroless tin-cap on 3D stacked LSI

机译：在3D堆叠LSI上使用化学镀锡帽以20 / spl mu / m的间距连接铜凸点

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来源
《》|2001年|P.107-114|共8页
会议地点
作者
Tomita; Y.; Tago; M.; Nemoto; Y.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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