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Atomic Scale Defects Involved in Stress Induced Leakage Currents in Very Thin Oxides on Silicon

机译:应力诱导在硅上非常薄的氧化物中涉及应力引起的泄漏电流的原子垢缺陷

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摘要

Several recent studies provide strong circumstantial evidence indicating that a specific type of atomic-scale defect plays an important, likely dominating, role in stress induced leakage currents. The defect involves an oxygen deficient silicon dangling bond in the oxide; it is called an E' center.
机译:最近的几项研究提供了强大的间接证据,表明特定类型的原子标度缺陷起着重要的,可能的主导,在应力引起的泄漏电流中的作用。缺陷涉及氧化物中的缺氧硅悬空粘合键;它被称为E'中心。

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