机译:NBTI应力超薄栅极p-MOSFET的恢复:深层陷阱的作用
机译:pMOSFET器件在FN和NBTI应力下界面陷阱的通用弛豫特性
机译:p和n沟道MOS器件的组合研究,用于研究NBTI之后氧化物阱的能量分布
机译:等离子氮化介电氧化物在PMOS器件中NBTI应力下空穴陷阱的作用研究
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生