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A 940MHz data-rate 8Mb CMOS SRAM

机译:A 940MHz数据速率8MB CMOS SRAM

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摘要

An 8Mb CMOS SRAM cycles at 470MHz and provides a data rate of 940MHz when run in the double-data rate (DDR) mode. Improved redundancy minimizes SRAM latency, enabling 3.4ns access time. The HSTL I/O performance is enhanced by using flip-chip C4packaging and by decoupling the I/O supply on-chip. The 8Mb SRAM is architected to allow both X18 and X36 organizations, as well as a 4Mb cut-down.
机译:470MHz的8MB CMOS SRAM周期,并在双数据速率(DDR)模式下运行时提供940MHz的数据速率。改进的冗余最小化SRAM延迟,启用3.4ns访问时间。通过使用倒装芯片C4包装并通过切换片上的I / O电源来提高HSTL I / O性能。 8MB SRAM将归属于允许X18和X36组织,以及4MB减少。

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