机译:基于碳纳米管的CMOS SRAM:1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
机译:在电阻缺陷存在下比较电源电压对基于CMOS和FinFET的SRAM的影响
机译:具有8 T SRAM单元和数据相关写入辅助功能的32 kb 0.35–1.2 V,50 MHz–2.5 GHz比特交错SRAM,采用28nm UTBB-FDSOI CMOS
机译:A 940MHz数据速率8MB CMOS SRAM
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:32NM技术中具有6分CMOS SRAM单元的三个值逻辑8T CNTFET SRAM单元的比较分析
机译:CmOs sRam中sEU上离子能量的重要性