机译:使用氧化as作为铁电栅场效应晶体管的缓冲层表征Pt / Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(120 / HfO_2 / Si结构)
机译:具有HfO_2缓冲层的铁电门极场效应晶体管中的30天长时间数据保留
机译:HfO2缓冲层对铁电栅场效应晶体管数据保留特性的影响
机译:锶铋钽酸盐基铁电栅场效应晶体管,氧化钇作为缓冲层
机译:钒掺杂铌酸锶铋钽铁酸盐陶瓷和薄膜的研究。
机译:缓冲层电容对铁电聚合物电容器电气特性的影响和场效应晶体管
机译:高流动性少数层石墨烯场效应晶体管制造 外延铁电栅氧化层(补充信息)