Electrodes; Thermal management of electronics; Performance evaluation; MOSFET; Silicon carbide; Logic gates; Thermal conductivity;
机译:具有高导通/截止比的PtGe / Ge触点的制备及其在金属源极/漏极Ge p沟道MOSFET中的应用
机译:SiC-MOSFET的漏极接触金属化的可靠性研究
机译:硒隔离可降低具有全金属化源极/漏极的超薄MOSFET的接触电阻
机译:SiC-MOSFET漏极接触金属化的可靠性调查
机译:使用中空纤维接触器的乳状液膜萃取重金属。
机译:β-Ga2O3–金属接触的最新进展
机译:使用金属源/漏极触点进行模拟/混合信号应用的Ge-Insulator MOSFET的研究