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刘松;
万代半导体元件上海有限公司;
功率MOSFET ; 开关过程; 电荷特性; 导通 ; 栅极电压; 可变电阻 ; 跨导 ;
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:直接源极到漏极隧穿区中的掺杂隔离肖特基源极/漏极双栅MOSFET设计
机译:漏极扩展MOS晶体管中热载流子引起的饱和区漏极电流的收敛和导通电阻衰减
机译:漏极模拟器分析漏极型PMOSFET特性对漏极型MOSFET的影响
机译:氮化镓异质源极漏极MOSFET
机译:洛仑兹力对单漏极MOSFET的漏极电流调制用于磁传感应用
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:具有基于锗的沟道区的MOSFET的无缺陷源极/漏极扩展
机译:基于嵌段共聚物的光刻的至少一个传导通道的制造过程,包括源极和漏极触点的先前沉积物
机译:用于汽车电子设备的电子保护电路,根据车载网络电压极性将MOSFET的源极-漏极路径切换为导通状态
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