可变电阻

摘要： 在闭合电路中,电源提供的功率等于内外电路消耗的功率之和,对于含有可变电阻的纯电阻电路,可变电阻的阻值变化直接影响着电源的总功率,也影响着闭合电路中各部分的功率分配.电源的最大输出功率是电源性能的重要标志之一,求电源输出功率最大值的问题也是电功率这部分内容的难点,学生虽经反复练习,但仍不得其法.笔者经过调查得知,学生出错的根本原因在于不理解功率取最大值的条件.本文就电源输出功率最大的条件论证及应用,结合笔者自己的经验谈一些粗浅的认识,供参考.

摘要： 当前,国内城市轨道交通多采用钢轨电位限制装置(OVPD)来抑制钢轨电位,过高的钢轨电位通常引起OVPD频繁通断、长期合闸,导致杂散电流泄漏量明显增加。为此提出一种兼顾杂散电流防护的新型OVPD,并在南宁轨道交通1号线进行试点安装。测试、分析结果表明该新型OVPD不仅能实现钢轨电位抑制,还能有效减少杂散电流泄漏量。

摘要： 在"模拟电子技术"理实一体化的项目驱动式教学中,本文设计了一个基于结型场效应管等效可变电阻控制衰减的AGC放大器,并验证了其性能.首先梳理了现有的AGC放大器设计方法,分析了它们各自的特点,在此基础上提出了基于结型场效应管等效可变电阻,并同时引入串联和并联控制衰减的AGC放大器设计方案.通过理论计算和实际电路测试,验证了该设计方案的合理性及优越性.

摘要： 本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2^(n)Ω。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VCVS)的电压来等效模拟电阻分压以达到模拟电阻的目的,本设计引入了比例积分PI控制,很好地消除了误差电阻的影响,提高了电阻精度,且具有良好的抗干扰性能和温度补偿性能。相较已有的一些变阻器,该变阻器具有体积小、精度高、易集成和电阻连续可控等优点,可以广泛应用于电路设计、通信工程、控制工程等领域,在大学物理实验中亦有广泛的用途。

摘要： 针对双馈感应发电机(DFIG)转子串联固定电阻在低电压穿越(LVRT)时,应对故障时的灵活性较低,且低穿效果过于依赖制动电阻的问题,文章提出了转子串联可变电阻与直流侧卸荷电路配合的改进方案.该方案根据转子故障电流的时域表达式对串联阻值进行整定并形成策略表.基于PSCAD/EMTDC仿真不同电压跌落情况下,改进方案的低电压穿越特性.结果表明,文章所提出的方案改善了风电机组的暂态稳定性,有效降低无功损耗,总体上低电压穿越效果较好.

摘要： 在高中电学的学习过程中,经常求解电路中电源、定值电阻、可变电阻、电动机、变压器等用电器的最大功率问题.不同的用电器特点不同,往往使用的求解方法也不一样,现将求解这几种用电器的最大功率方法进行总结归纳.一、电源的最大输出功率。

摘要： 针对微小电阻测试仪中电阻量值的检定需求,设计了一种基于线性网络的小阻值可变电阻.设计的高准确度线性网络具有较小电阻调节步进;采用高准确度线性网络解决了小电阻步进的问题;选用逐次逼近自适应算法解决了可变电阻静态温漂的问题.为了避免表面气流温度突变带来不稳定,设计了分区域防风罩作为温度缓冲器.检定结果表明,可变电阻达到最大允许误差为±0.3％.满足最大允许误差为±1％的微小电阻测试仪的量值传递及小型化适用性需求.

摘要： 为防止电工技术实验过程中出现问题,实验人员应对电工技术实验装置常见的故障进行合理维修,以免故障问题对电工技术实验进程和实验结果造成影响,从而有效提升电工技术实验水平.本文对电工技术实验装置的普通故障,直流稳压电源故障以及可变电阻故障等进行了分析,并提出了相应的维修方法,供相关人员参考.

摘要： 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。

摘要： 针对脉冲引信炸高不可装定,或控制过于复杂而导致可靠度不高等问题.提出基于结型场效应管可变电阻的炸高装定方法.该法利用结型场效应管线性区电阻可变特性,改变结型场效应管(JFET)栅源电压VGS来控制改变脉冲引信占空比的积分电阻大小,以此控制脉冲引信的脉冲占空比,从而实现脉冲引信的炸高装定.仿真表明:运用控制结型场效应管的可变电阻方法装定引信炸高的方法既实用又简单可靠.

摘要： 本文针对微小电阻测试仪中电阻量值的检定需求,设计了一种基于线性网络的小阻值可变电阻.采用高准确度低电压测量解决了微小电压测量问题;采用高准确度线性网络解决了小电阻调节步进的问题;选用逐次逼近自适应算法解决了可变电阻静态温漂的问题;采用分区域防风罩解决了表面气流温度突变对电阻值的影响问题.检定结果表明,所设计的可变电阻最大允许误差为±0.3％,满足最大允许误差±1％的微小电阻测试仪的量值传递及小型化适用性需求.

摘要： MOV芯片是雷电防护中的基本元器件,实践中,为使SPD能够处理大电流和高能量,有两种方法是可行的:使用一个单独的、大的MOV芯片或者使用几个小一些的MOV芯片并联。本文通过对这两种方法的电气特性及其他一些方面的对比,对并联MOV芯片在SPD设计中的适用性作出一些探讨。

摘要： MOV芯片是雷电防护中的基本元器件,实践中,为使SPD能够处理大电流和高能量,有两种方法是可行的:使用一个单独的、大的MOV芯片或者使用几个小一些的MOV芯片并联。本文通过对这两种方法的电气特性及其他一些方面的对比,对并联MOV芯片在SPD设计中的适用性作出一些探讨。

摘要： MOV芯片是雷电防护中的基本元器件,实践中,为使SPD能够处理大电流和高能量,有两种方法是可行的:使用一个单独的、大的MOV芯片或者使用几个小一些的MOV芯片并联。本文通过对这两种方法的电气特性及其他一些方面的对比,对并联MOV芯片在SPD设计中的适用性作出一些探讨。

摘要： MOV芯片是雷电防护中的基本元器件,实践中,为使SPD能够处理大电流和高能量,有两种方法是可行的:使用一个单独的、大的MOV芯片或者使用几个小一些的MOV芯片并联。本文通过对这两种方法的电气特性及其他一些方面的对比,对并联MOV芯片在SPD设计中的适用性作出一些探讨。

摘要： 本发明涉及一种可变电阻陶瓷，其包含Zn作为主组分和含量达0.1-3原子％的Pr。

摘要： 本发明的一实施例提供一种可变电阻记忆体电路与可变电阻记忆体电路的写入方法。可变电阻记忆体电路包括可变电阻记忆体晶胞(包括可变电阻元件与晶体管)、电压信号产生电路、切换电路、侦测电路与控制器。电压信号产生电路耦接晶体管的控制端。切换电路耦接晶体管与可变电阻元件。侦测电路耦接电压源与切换电路。控制器耦接电压信号产生电路、切换电路与侦测电路。可变电阻记忆体晶胞在写入动作时，电压信号产生电路提供电压信号至晶体管，且侦测电路连续地侦测可变电阻元件是否发生电阻值转态。若发生电阻值转态，控制器停止写入动作。

摘要： 液面检测装置(100)用的可变电阻器板具备：基板主体(71、271)，其由绝缘性的材料形成；多个滑动电极(72、272)，其沿着与液面高度对应地相对位移的滑动部件(44)的滑动轨迹(WT1、WT2)，相互隔开间隔排列在基板主体上；电阻元件(76、276)，其通过相互连接多个滑动电极而使滑动电极间产生电阻，能够通过调整基板主体上的形状来修正每个个体的电阻值；调整用接触部(73a～73r、273a～273r)，其形成于多个滑动电极中的至少一个，位于从滑动部件的滑动轨迹偏离的位置，供测量器(110)的测量部(111)触碰；以及一对修正用接触部(78a、78b；278a、278b)，其形成在设于基板主体上的一个修正用电极(77、277)，供测量部触碰。

摘要： 本发明涉及一种可变电阻陶瓷，其包含下列材料：Zn作为主组分，含量达0.1－3原子%的Pr和含量达0.1－5原子%的选自Y、Ho、Er、Yb、Lu的金属M。

摘要： 本发明涉及一种可变电阻陶瓷，其包含下列材料：Zn作为主组分，含量达0.1－3原子%的Pr和含量达0.1－5原子%的选自Y、Ho、Er、Yb、Lu的金属M。

摘要： 本发明涉及一种可变电阻陶瓷，其包含Zn作为主组分和含量达0.1—3原子％的Pr。

摘要： 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。

摘要： 本申请提供了一种可变电阻模拟电路及可变电阻模拟电路的参数设计方法，可变电阻模拟电路包括细调电路和粗调电路，以及分别与细调电路的第一控制端和粗调电路的第二控制端连接的控制器；控制器用于调节所述细调电路和/或所述粗调电路的阻值；粗调电路的输入端与所述可变电阻模拟电路的输入端连接，粗调电路的输出端与细调电路的输入端连接；细调电路的输入端与粗调电路的输出端连接，细调电路的输出端与可变电阻模拟电路的输出端连接，细调电路的输入端与可变电阻模拟电路的输入端连接。从而在细调电路与粗调电路结合的情况下，有助于提高可变电阻模拟电路的调节精度，更加准确的模拟出待模拟电阻的阻值。

摘要： 一种可变电阻存储器件可以包括：堆叠在衬底上的绝缘层；穿透绝缘层的第一导电线；在绝缘层之间的切换图案；相变图案，在第一导电线和每个切换图案之间；以及盖图案，设置在相变图案和第一导电线之间并且设置在由相变图案围绕的区域中。

摘要： 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。