机译:使用GSMBE生长的Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P气桥栅极结构的高线性高电流可驱动性Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P / GaAs MISFET
机译:气源MBE生长的高性能Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P / GaAs空气桥栅MISFET
机译:GSMBE生长在In_0.49Ga_0.51P / G / GaAs异质结双极晶体管中,该晶体管具有重掺杂铍的基极和未掺杂的垫片
机译:GSMBE研制的大功率高速Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P / GaAs空桥栅极MISFET的制作与仿真
机译:In(0.49)Ga(0.51)P / GaAs异质结双极晶体管的建模,用于ADC和MMIC电路设计。
机译:氟掺杂:提高高电阻宽带隙Mg0.51Zn0.49O活性成分电导率的可行解决方案
机译:深度光谱光谱和深层瞬态光谱法在SiGe / Si和GaAs上生长的p型In0.49Ga0.51p中带隙状态的测定