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Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
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1.
Low current wideband amplifier using 0.2 /spl mu/m gate MODFET fabricated by using phase-shift lithography
机译:
低电流宽带放大器采用0.2 / SPL MU / M门MODFET使用相移光刻制造
作者:
Ishida I.
;
Miyatsuji K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
2.
Analysis of surface-related deep-trap effects on gate-lag phenomena in GaAs MESFETs
机译:
GaAs Mesfet中的表面相关深度陷阱效应分析
作者:
Horio K.
;
Yamada T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
3.
A complementary GaAs PLL clock multiplier with wide-bandwidth and low-voltage operation
机译:
具有宽带宽和低压操作的互补GaAs PLL时钟倍增器
作者:
Stetson S.
;
Brown R.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
4.
Off-state breakdown walkout in high-power PHEMT's
机译:
高功率Phemt的脱态分解罢工
作者:
Chou Y.C.
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
5.
An accurate, large signal, high frequency model for GaAs HBTs
机译:
GaAs HBT的准确,大信号,高频模型
作者:
Camnitz L.H.
;
Kofol S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
6.
New insight into subharmonic oscillation mode of GaAs power amplifiers under severe output mismatch condition
机译:
严重输出不匹配条件下GAAS功率放大器次谐波振荡模式的新洞察
作者:
Imbornone J.
;
Murphy M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
7.
Wide bandgap semiconductor electronic devices for high frequency applications
机译:
用于高频应用的宽带隙半导体电子设备
作者:
Trew R.J.
;
Shin M.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
8.
GaAs VLSI implementation of a 2.5 Gb/s ATM label translator
机译:
GaAs VLSI实施2.5 GB / S ATM标签翻译
作者:
Moussa I.
;
Lassen P.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
9.
A 500 MHz GaAs digital RF memory modulator IC
机译:
500 MHz GaAs数字RF内存调制器IC
作者:
McMillian G.
;
Hallidy W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
10.
Complementary heterostructure FET standard cells
机译:
互补异性结构FET标准细胞
作者:
Fulkerson D.
;
Borgeson R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
11.
Slip defect generation on GaAs wafers during high temperature process: a thermoelastic study from a crystallographic viewpoint
机译:
高温过程中GaAs晶片上的防滑缺陷发电:晶体观点的热弹性研究
作者:
Sawada S.
;
Yoshida H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
12.
A monolithic integrated HEMT-HBT S-band receiver
机译:
单片集成HEMT-HBT S波段接收器
作者:
Kobayashi K.W.
;
Oki A.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
13.
DC and high frequency models for heterojunction bipolar transistors
机译:
异质结双极晶体管的直流和高频模型
作者:
Daniel T.
;
Tayrani R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
14.
A GaAs HEMT MMIC Chip Set For Automotive Radar Systems Fabricated By Optical Stepper Lithography
机译:
用于光学步进光刻制造的汽车雷达系统的GaAs HEMT MMIC芯片组
作者:
Muller J.-E.
;
Bangert A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
15.
A 2-50 GHz InAlAs/InGaAs-InP HBT distributed amplifier
机译:
2-50 GHz Inalas / InGaAs-InP HBT分布式放大器
作者:
Kobayashi K.W.
;
Cowles J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
16.
Improved reliability self-aligned C/X-band monolithic power HBT amplifiers fabricated with a low-stress process
机译:
改进的可靠性自对准C / X波段单片功率HBT放大器,具有低应力过程
作者:
Henderson T.S.
;
Kim T.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
17.
80 GHz AlGaAs HBT oscillator
机译:
80 GHz Algaas HBT振荡器
作者:
Aoki I.
;
Tezuka K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
18.
A review of recent progress in InP-based optoelectronic integrated circuit receiver front-ends
机译:
基于INP的光电集成电路接收机前端的近期进步述评
作者:
Walden R.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
19.
Q-band high isolation GaAs HEMT switches
机译:
Q波段高隔离Gaas HEMT开关
作者:
Ingram D.L.
;
Cha K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
20.
Growth and properties of very large crystals of semi-insulating gallium arsenide
机译:
半绝缘砷化镓非常大晶体的生长和性质
作者:
Ware R.M.
;
Higgins W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
21.
A highly integrated multifunction macro synthesizer chip (MMSC) for applications in 2-18 GHz synthesized sources
机译:
高度集成的多功能宏合成器芯片(MMSC),适用于2-18 GHz合成源的应用
作者:
Mondal J.
;
Peterson K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
22.
A self-aligned buried-channel heterostructure GaAs FET with high breakdown voltage for use in mobile communications systems
机译:
具有高击穿电压的自对准掩埋通道异质结构GaAs FET,用于移动通信系统
作者:
Kitaura Y.
;
Nishihori K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
23.
Low dc power high-gain bandwidth product InAlAs/InGaAs-InP HBT direct-coupled amplifiers
机译:
低直流电源高增益带宽产品INALAS / INGAAS-INP HBT直接耦合放大器
作者:
Kobayashi K.W.
;
Tran L.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
24.
Effects of reverse gate-drain breakdown on gradual degradation of power PHEMTs
机译:
反向栅极排水缩小对功率PHEMT逐渐降解的影响
作者:
Leoni R.E.
;
Hwang J.C.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
25.
Effects of buried p-layers on substrate-trap induced phenomena in GaAs MESFETs
机译:
埋地P型对GaAs Mesfets底物捕集诱导现象的影响
作者:
Kunihiro K.
;
Nogome M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
26.
An HBT preamplifier for 40-Gb/s optical transmission systems
机译:
用于40 GB / S光传输系统的HBT前置放大器
作者:
Suzuki Y.
;
Shimawaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
27.
A novel 75 GHz InP HEMT dynamic divider
机译:
一部小型75 GHz Inp HEMT动态分频器
作者:
Madden C.J.
;
Snook D.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
28.
7 mm gate width power heterojunction FETs for Li-ion battery operated personal digital cellular phones
机译:
7毫米宽宽电源异质结FET用于锂离子电池供电的个人数字蜂窝电话
作者:
Iwata N.
;
Tomita M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
29.
Complementary GaAs technology for a GHz microprocessor
机译:
GHz微处理器的互补GaAs技术
作者:
Brown R.B.
;
Basso T.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
30.
A new low-noise, low-distortion and low-power-consumption variable gain amplifier for digital cellular phones
机译:
用于数字蜂窝电话的新的低噪声,低失真和低功耗和低功耗变量增益放大器
作者:
Motoyoshi K.
;
Tambo T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
31.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
32.
P-contact MESFETs for high voltage mixed-mode RF-applications
机译:
用于高压混频模式RF应用的P接触MESFET
作者:
Wennekers P.
;
Zdebel P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
33.
Low current dissipation pseudomorphic MODFET MMIC power amplifier for PHS operating with a 3.5 V single voltage supply
机译:
低电流耗散假形MODFET MMIC功率放大器,用于采用3.5 V单电压运行的PHS
作者:
Yokoyama T.
;
Kunihisa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
34.
Low cost packaging techniques for commercial GaAs IC components
机译:
商业GAAS IC组件的低成本包装技术
作者:
Steel V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
35.
Subfemtojoule 0.15 /spl mu/m InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT DCFL circuits under 1 V supply voltage
机译:
Subfemtojoule 0.15 / SPL MU / M Ingap / IngaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT DCFL电路在1 V电源电压下
作者:
Suehiro H.
;
Shima M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
36.
A 500 MHz complementary gallium arsenide clock multiplier
机译:
500 MHz互补的砷化镓时钟倍增器
作者:
Mazzotta V.
;
Foster D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
37.
A 55 efficiency 5 W PHEMT X-band MMIC high power amplifier
机译:
55%效率5 W PHEMT X波段MMIC高功率放大器
作者:
Wang R.
;
Cole M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
38.
A low-power enable/disable GaAs MESFET differential logic
机译:
低功耗启用/禁用GaAs MESFET差分逻辑
作者:
Ribas R.P.
;
Bernal A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
39.
A high efficiency 0.15 /spl mu/m 2-mil thick InGaAs/AlGaAs/GaAs V-band power HEMT MMIC
机译:
高效0.15 / SPL MU / M 2-MIL厚Ingaas / Algaas / GaAs V波段功率HEMT MMIC
作者:
Lai R.
;
Nishimoto M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
40.
Unlicensed millimeter wave communications. A new opportunity for MMIC technology at 60 GHz
机译:
未经许可的毫米波通信。 60 GHz的MMIC技术机会
作者:
Van Tuyl R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
41.
An improved gate capacitance model for GaAs MESFETs
机译:
GaAs Mesfet的改进栅极电容模型
作者:
Kotz J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
42.
Direct observation of localized high current effects in gallium arsenide field effect transistors
机译:
直接观察砷化镓场效应晶体管中的局部高电流效应
作者:
Dugan M.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
43.
InGaP/GaAs HBT-IC chipset for 10-Gb/s optical receiver
机译:
INGAP / GAAS HBT-IC芯片组用于10 GB / S光接收器
作者:
Ihara T.
;
Oikawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
44.
P-HEMTs for low-voltage portable applications using filled gate fabrication process
机译:
使用填充栅极制造工艺的低压便携式应用的P-HEMTS
作者:
Martinez M.J.
;
Schirmann E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
45.
Two phase detectors for 2.5-10 Gb/s NRZ data operation: a Hogge and a balanced mixer
机译:
两个相位探测器为2.5-10 GB / S NRZ数据操作:耳机和平衡搅拌机
作者:
Wu D.Y.
;
Yen A.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
46.
20-40 Gbit/s 0.2 /spl mu/m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
机译:
20-40 Gbit / s 0.2 / SPL MU / M Gaas HEMT芯片为光学数据接收器设置
作者:
Berroth M.
;
Lang M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
47.
Ion-implanted GaAs JFETs with f/sub t/45 GHz for low-power electronics
机译:
具有F / SUM T / <45 GHz的离子注入的GAAS JFET,用于低功耗电子器件
作者:
Zolper J.C.
;
Baca A.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
48.
A monolithic 24.9 GHz limiting amplifier using 0.2 /spl mu/m-AlGaAs/GaAs-HEMTs
机译:
一种单片24.9 GHz限制放大器,使用0.2 / SPL MU / M-Algaas / Gaas-Hemts
作者:
Lao Z.
;
Berroth M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
49.
A completely integrated single-chip phase-locked loop with a 15 GHz VCO using 0.2 /spl mu/m E-/D-HEMT-technology
机译:
一种完全集成的单芯片锁相环,具有15 GHz VCO,使用0.2 / SPL MU / M E-/ D-HEMT-Technology
作者:
Leber P.
;
Baumberger W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
50.
A 50 W low distortion GaAs MESFET for digital cellular base stations
机译:
用于数字蜂窝基站的50 W低失真GaAs MESFET
作者:
Ono F.
;
Emori F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
51.
A symmetric GaAs MESFET structure with a lightly doped deep drain for linear amplifiers operating with a single low-voltage supply
机译:
一个对称的GaAs Mesfet结构,具有轻微掺杂的深漏极,用于用单个低压供应操作的线性放大器
作者:
Hirose M.
;
Nishihori K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
52.
High power quasi-optical sources for millimeter-wave base-station applications
机译:
用于毫米波基站应用的高功率准光源
作者:
Kolias N.J.
;
Vaughan M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
53.
Breakdown effects on the performance and reliability of power MESFETs
机译:
对电源MESFET的性能和可靠性的故障效应
作者:
Shirokov M.S.
;
Leoni R.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
54.
High efficiency AlGaAs/GaAs power HBTs at a low supply voltage for digital cellular phones
机译:
用于数字蜂窝电话的低电源电压的高效ALGAAS / GAAS功率HBT
作者:
Miura T.
;
Shimura T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1996年
55.
Decoupled electrical/thermal modeling of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
分离的电气/藻类/ GaAs异质结双极晶体管的电气/热建模
作者:
Anholt R.
;
Bozada C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
56.
A 2 GHz 12-bit digital-to-analog converter for direct digital synthesis applications
机译:
用于直接数字合成应用的2 GHz 12位数模转换器
作者:
Schaffer T.A.
;
Warren H.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
57.
A monolithic gallium arsenide interval timer IC with integrated PLL clock synthesis having five hundred picosecond single shot resolution
机译:
具有集成PLL时钟合成的单片镓砷化静脉间间隔IC,具有五百微秒单次射击分辨率
作者:
Nati S.
;
Kyles I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
58.
Soft error immune LT GaAs ICs
机译:
软错误免疫LT LT GaAs IC
作者:
Weatherford T.R.
;
Marshall P.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
59.
Hot carrier reliability in high-power PHEMTs
机译:
高功率PHEMTS的热载波可靠性
作者:
Chou Y.C.
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
60.
A super-dynamic flip-flop circuit for broadband applications up to 24 Gbit/s utilizing production-level 0.2-/spl mu/m GaAs MESFETs
机译:
用于宽带应用的超动态触发器电路,可利用生产级0.2- / SPL MU / M GaAs Mesfets的24 Gbit / s
作者:
Otsuji T.
;
Yoneyama M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
61.
Integrated circuits for an experimental 10 Gb/s (SONET OC-192) self-healing ring
机译:
用于实验10 GB / S(SONET OC-192)自愈环的集成电路
作者:
Jayakumar A.
;
Banwell T.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
62.
Packaged clock recovery integrated circuits for 40 Gbit/s optical communication links
机译:
包装时钟恢复集成电路40 Gbit / s光通信链路
作者:
Yu R.
;
Pierson R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
63.
High-power, high-efficiency K-band AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
大功率,高效K波段AlgaAs / GaAs异质结双极晶体管
作者:
Hin-Fai Chau
;
Hill D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
64.
W-band InGaAs/InP PIN diode monolithic integrated switches
机译:
W波段IngaAs / InP引脚二极管单片集成开关
作者:
Alekseev E.
;
Pavlidis D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
65.
GaAs ICs in commercial OC-192 equipment
机译:
Gaas ICS在商业OC-192设备中
作者:
Willemsen H.
;
Nicholson D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
66.
40-Gbit/s ICs for future lightwave communications systems
机译:
用于未来光波通信系统的40-Gbit / s IC
作者:
Otsuji T.
;
Sano E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
67.
GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 18th Annual Technical Digest 1996
机译:
GaAs IC研讨会IEEE砷化镓集成电路研讨会。 1996年18年度技术摘要
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
68.
27 GHz bandwidth high speed monolithic integrated optoelectronic photoreceiver consisting of a waveguide fed photodiode and an InAlAs/InGaAs-HFET-traveling wave amplifier
机译:
27 GHz带宽高速单片集成光电光电子,由波导馈电光电二极管和INALAS / INGAAS-HFET-行波放大器组成
作者:
van Waasen S.
;
Umbach A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
69.
A 3.6-W 26 GHz-band AlGaAs/GaAs HBT power amplifier
机译:
3.6-W 26 GHz带ALGAAS / GAAS HBT功率放大器
作者:
Murakami S.
;
Tanaka S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
70.
Highly integrated 3-D MMIC technology being applied to novel masterslice GaAs- and Si-MMIC's
机译:
高度集成的3-D MMIC技术应用于新颖的Masterslice Gaas和Si-Mmic的技术
作者:
Tokumitsu T.
;
Hirano M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
71.
Understanding linearity in wireless communication amplifiers
机译:
了解无线通信放大器中的线性度
作者:
Struble W.
;
McGrath F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
72.
Device characterization of high-electron-mobility transistors with ferroelectric-gate structures
机译:
具有铁电栅结构的高电子迁移率晶体管的装置表征
作者:
Ohmi S.
;
Okamoto T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
73.
40 Gb/s, 3 volt InP HBT ICs for a fiber optic demonstrator system
机译:
光纤演示系统40 GB / s,3伏INP HBT IC
作者:
Swahn T.
;
Lewin T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
74.
Fabrication and simulation of high-power high-speed Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P/GaAs airbridge gate MISFET's grown by GSMBE
机译:
高功率高速GA / SUB 0.51 / IN / SUB 0.49 / P / GAAS Airbridge MissFET的制造和仿真的制造和仿真
作者:
Yo-Sheng Lin
;
Yo-Jen Wang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
75.
A 560 mW, 21 power-added efficiency V-band MMIC power amplifier
机译:
A 560 MW,21%的电力添加效率V波段MMIC功率放大器
作者:
Tang O.S.A.
;
Duh K.H.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
76.
A GaAs HEMT MMIC chip set for automotive radar systems fabricated by optical stepper lithography
机译:
用于光学步进光刻制造的汽车雷达系统的GaAs HEMT MMIC芯片组
作者:
Muller J.-E.
;
Bangert A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
77.
Single-chip 30 W CW AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor at 3 GHz
机译:
单芯片30 W CW AlgaAs / GaAs异质结双极晶体管为3 GHz
作者:
Hill D.
;
Hua-Quen Tserng
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1996年
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