机译:掩埋p层的设计考虑因素以抑制GaAs MESFET中的衬底俘获效应
机译:中性掩埋p层对GaAs MESFET高频性能的影响
机译:GaAs MESFET中衬底陷阱对导通特性的影响的二维分析
机译:掩埋p层对GaAs MESFET中衬底陷阱诱导现象的影响
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:退火对GaAs / GaAsSbN / GaAs核-多壳纳米线的影响
机译:具有埋入p层的高功率,高效率离子注入GaAs MESFET
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。