机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:极性相关的热化学E模型,用于描述具有超薄栅极电介质的金属氧化物半导体器件中随时间变化的电介质击穿
机译:基于时间的介电击穿模型,用于铜离子引起的场加速低k击穿
机译:一个新的基于物理的,随时间变化的介电击穿模型
机译:纳米VLSI电路的基于物理的电迁移和时变介电击穿建模以及可靠性分析。
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:铜低k互连中与时间相关的介电击穿:机制和可靠性模型