CCD Image sensors; Displacement damage; Dark current; Charge Transfer Inefficiency (CTI);
机译:成像电荷耦合器件(CCD)对17和50 MeV质子和重离子辐射的瞬态响应
机译:高温作用下中子辐照对电光调制器器件速度性能的影响
机译:质子辐照的Si / sub 1-x / Ge / sub x /外延器件的降解和恢复
机译:电荷耦合器件中质子辐射后的性能劣化:交叉设备比较
机译:预测电荷耦合器件上质子感应暗电流的蒙特卡洛处理
机译:使用电荷耦合器件存储磷光体和胶片接收器的全景射线照相中图像特性和便利性的比较
机译:国际空间站全天候X射线图像任务监视器的X射线电荷耦合设备的质子辐照实验:I.电荷转移效率低下的实验装置和测量
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能