面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製 (2)

摘要

量子ドット(QD)レーザは、低閾電流、高温動作、高温度安定性、高速変調などの優れた特性を活かした様々な光源として期待されている。QDレーザの高性能化には、QDの高密度化や高均一化が必要とされている。これまで自己サイズ制限効果による高均一化やSb導入法による高密度化を検討してきた。最近では、QD 密度が 0.5～1.0×1012 cm~(-2)の面内超高密度(IP-UHD) InAs QD層の自己形成法を開発し、IP-UHDQD層のレーザ応用について検討を進めている。今回は、IP-UHD QD層を活性層に導入したQDレーザを試作し、比較的短い共振器長（500 µm以下）でも室温発振が確認され、高い利得を有することが分かったので報告する。