銀・アルミニウム被覆による極性・半極性面InGaN/GaN量子井戸における表面プラズモン発光機構に関する研究

摘要

InGaN/GaN系量子井戸（QW）を用いた発光ダイオード（LED）は，新世代の光源として広く普及している．しかし，緑色の発光素子は量子シュタルク閉じ込め効果の影響により，発光効率はいまだに低い．これを改善するためには，半極性面上に結晶成長させた InGaN/GaN を表面プラズモン（SP）共鳴によってさらに発光増強させることが有用である．本研究では極性/半極性InGaN/GaNからの緑発光のSP発光増強について調べるため，AgあるいはAlを被覆させた試料の顕微フォトルミネセンス（PL）スペクトルのピーク強度とピーク波長マッピングを行った．