薄膜レーザーアブレーシヨンによりドーピングが施された4H-SICの鼋気特性評価

摘要

4H-silicon carbide(4H-SiC)は 3.26 eV のバンド ギャップを持つワイドバンドギャップ半導体であり， 電圧耐性，耐熱性，熱伝導性等の優れた材料物性を 有し，パワーデバイスや低環境負荷デバイス材料と して注目されている. 一方，ウェハ製造時の欠陥 低減等のプロセス技術の課題が残されており，特に 不純物ドーピングに関しては，不純物濃度の向上， 活性化率の改善及びプロセス温度の低減等が求めら れている.現在用いられているイオンインプランテ ーシヨン法では，イオン注入後、活性化アニールのエ 程を必要とする.我々は，4H-SiC基板上にp型、n型 のドーパントとなる不純物を含hだ膜を形成し，不 活性ガス中でレーザーアブレーシヨンさせることで 4H-SiC内に不純物を拡散させることに成功した. 本報告では，SiN薄膜アブレーシヨンによりレーザードーピングを施した窒素の活性化率をホ一ル効果 測定により行ったのでその結果を報告する.