窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

摘要

光子を1個ずつ任意のタイミングで発生できる単一光子源は、量子情報通信や量子コンピューターといった量子技術の実現において必要とされている。窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイド(Ln)は、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示し、電流注入による発光制御ができることから、SoC（システムオンチップ）単一光子源への応用が期待できる。そこで我々は、Lnの一種であるプラセオジム(Pr)の単一光子発生制御に関する研究を進めている。今回は、GaN ナノピラー中Prのフォトルミネッセンス(PL)強度増幅について報告する。