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氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法,方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层,然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球,并以聚苯乙烯小球为透镜,对光刻胶层进行曝光并显影,以在光刻胶层形成圆形孔洞阵列,接着采用刻蚀工艺将光刻胶层的图形转移到氧化硅层上,刻蚀直到暴露出下方氮化镓层,以在掩模层形成圆形孔洞阵列,最后在掩模层的圆形孔洞阵列中生长氮化镓纳米柱和和氮化镓纳米锥混合阵列。本发明能大规模生产出氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列,并且氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱的尺寸可控。

著录项

  • 公开/公告号CN105957801A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201610373179.4

  • 申请日2016-05-31

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 00:31:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20160921 申请日:20160531

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160531

    实质审查的生效

  • 2016-09-21

    公开

    公开

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