強誘電体FETのMOS界面における電荷分布の評価とデバイス動作の理解

摘要

提案した準静的 Split C-V測定法は、FeFETの各分極状態における電子・正孔の面密度を評価できる手法である。結果として、分極反転に伴う大きな分極電荷はMOS界面近傍の捕獲電荷によって引き起こされており、反転層電荷の増大には繋がっていないことが示された。