抵抗加熱式CZ法による直径6インチ金属Ni単結晶作成

摘要

Ni (111)単結晶はGaN用格子整合基板、グラフェン用基板として期 待されている。また、不純物添加バルク結晶も一方向凝固法によりNi基超合金単結晶と して製造されタービン等に使用されている。我々はこれまで直径4インチのNi単結晶作 成、および加工と評価について報告してきた。今回、GaNパワーデバイス用基板として求められる直径6インチサイズの結晶を作成し、6インチェピレディウェハ作成に成功 した。